半导体晶圆造备中位错缺点的状态和散布情况对电子元器件的机能有较大影响，由于掺杂资料、造备工艺的分歧，位错散布也分歧。本设备用于查抄晶圆位错状态和散布，为晶圆资料钻延注改进造备工艺提供数据支持。 合用于2吋、3吋、4吋和6吋砷化镓衬底。
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